然湖

　　与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。
然湖　　美光 9550 SSD 凭借 14.0 GB/s 的顺序读取速率和 10.0 GB/s 的顺序写入速率，提供出色的性能，与业界同类 SSD 相比，其性能提升高达 67%，为 AI 等要求苛刻的工作负载带来业界领先的性能表现。此外，其随机读取速率达到 3,300 KIOPS，比竞品提升高达 35%，随机写入速率达到 400 KIOPS，比竞品提升高达 33%。
　　该公司DLPC8445将控制器描述为“比上一代小90%”，并表示它可以用于生活方式和游戏投影仪，“实现亚毫秒级的显示延迟，匹配或超过世界上端的游戏显示器，并减少游戏玩家的延迟时间”。
　　 4K 帧率为 60Hz，使用 1,080p 时可增加到 240Hz。
　　控制器和 24.50mm × 11.00mm DMD 与 15 x 15mm DLPA3085电源和 LED 驱动器 IC 一起构成了用于 4K 投影显示器的芯片组。

　　RPZ 系列包括额定电流为 0.5 A、1 A、2 A、3 A 和 6 A 的产品，输入电压低至 2.3 V，高达 7 V，具体取决于型号。输出电压可编程，范围低至 0.6 V，高至接近输入电压的值。新型 RPL-5.0 系列可在 2.75V 至 17 V 的宽输入电压范围提供 5 A 输出电流，输出电压可编程，范围为 0.6 V 至 12 V。
推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块—VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
然湖我们很高兴全新第八代BiCS FLASH?技术的2Tb QLC开始送样，”铠侠技术官Hideshi Miyajima表示，“铠侠2Tb QLC产品凭借其业界领先的高位密度、高速传输接口和卓越的能效比，将为快速发展的人工智能应用，以及对功耗和空间要求严苛的大容量存储应用带来新的价值。
　　低时延处理和高每瓦性能推理的结合可为关键任务实现高性能，包括将自适应计算与灵活的 I/O、用于 AI 推理的 AI 引擎以及 AMD Radeon 显卡实时集成到单个解决方案中，发挥每项技术的优势。
型接近传感器—VCNL36828P，提高消费类电子应用的效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36828P采用垂直腔面发射激光器（VCSEL），在2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm小型表面贴装封装中集成光电二极管、专用集成电路（ASIC）、16位 ADC和智能双I2C从机地址。

出样业界容量密度的新一代 GDDR7 显存。1 美光 GDDR7 采用美光的 1β（1-beta）DRAM 技术和创新架构，以优化的功耗设计打造了速率高达 32 Gb/s 的高性能内存。
然湖　　C8系列的核心亮点在于其显著缩小的体积（相较于C7系列缩减了50%），同时保持了卓越的性能表现。在微型化方面，C8系列表现出色，为工程师们提供了更为紧凑的设计方案，让他们在享受小巧便利的同时，依然能体验到瑞士微晶RTC模块一贯的高性能标准。
全球功率系统和物联网领域的半导体英飞凌近日推出业界首款抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。
　　这款新产品在形成圆弧光的机构中，配备曝光狭缝自动调整机构（SIC：Slit Illuminance Control）。通过自动控制光线通过的狭缝宽度，可以改变曝光光线的强度分布，从而实现稳定的曝光线宽。