矢崎

　　Power Integrations发布了一份新的设计范例报告(DER-952Q)，重点展示了额定耐压1700V的InnoSwitch3-AQ IC所实现的高集成度。这款结构紧凑、外形小巧的电源可在85°C环境温度下，在300VDC至900VDC输入范围内提供86W的全功率输出。这是一款无散热片设计，其效率超过92%，并且仅使用62个元件。13.5V输出配置可使该设计取代车辆的12V辅助电池。
矢崎艾迈斯欧司朗的SFH 4726AS红外LED，让手持3D扫描仪的小巧设计成为可能。该款红外LED采用仅3.75×3.75mm尺寸的透明硅树脂封装，外加芯片堆叠技术，一颗SFH 4726AS可以替代多颗普通中功率红外LED，极大节省扫描设备的设计空间。
全球功率系统和物联网领域的半导体英飞凌近日推出业界首款抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。

　　其中一个型号是SARA-R10M10，这是一款十分小巧的LTE Cat 1bis模块，内嵌全球导航卫星系统(GNSS)，能够同时执行通信和追踪。该模块融合了GNSS、Wi-Fi扫描和全球LTE覆盖范围，是资产追踪和车联网应用的理想解决方案，可在全球任意地点实现持续通信和室内外定位。此外，这款模块只有u-blox先前的LTE Cat 1bis组合产品LENA-R8M10的一半大小。
若有芯片公司对此一芯片的进入量产有兴趣，Andes 晶心科技亦可考虑以特殊商务授权模式，让芯片公司有机会取得授权，将QiLai芯片带进量产。
美光科技股份有限公司宣布，推出数据中心 SSD 产品美光 9550 NVMe SSD和第九代NAND 闪存技术产品。在7月31日举行的媒体交流会上，美光相关产品负责人对两款产品的技术参数进行了介绍，并称，9550 SSD基于NVIDIA H100 GPU平台，针对AI工作负载进行了优化，特别考虑了采用大型加速器内存（BaM）进行图神经网络（GNN）训练。
这种优化的流体管理不仅实现了高效的强迫对流换热模式，而且显著提高了冷却介质的使用效率和系统散热效能。基于此，更为绿色环保、低成本的合成油也有望作为冷却介质来解决千瓦级散热问题，从而进一步降低数据中心的运营成本和环境影响。而且，该技术引入了创新的转接板设计，为客户面临的浸没式液冷机柜与服务器设计之间需解耦的难题，提供了行之有效的解决方案，且满足客户对于整体系统灵活性和兼容性的需求。
　　步进衰减器专为6 GHz、8 GHz和18 GHz频率的卓越射频性能而设计。它们的衰减水平有10、60、70和99 dB，衰减步长为1 dB和10 dB，具体取决于型号。

适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S7T）取得的进步基础上，显著提高了结温传感的精度，因此具有诸如更高的耐用性、安全性和效率等对于汽车领域至关重要的优势。
矢崎与独立的板载传感器相比，S7TA的嵌入式传感器精度提高了 40%，响应时间加快了4倍。这些温度监测方面的进步实现了对多设备系统内部的单独监测，从而提高了可靠性并且防止可能导致系统故障的散热问题，对汽车应用而言非常重要。
　　HT32F53231/HT32F53241/HT32F53242/HT32F53252操作电压为2.5V~5.5V，操作温度范围提升至-40℃~105℃工业温度范围，指令周期可达60MHz，Flash容量为128KB，SRAM容量达16KB，搭载6通道PDMA，支持独立VDDIO管脚，可连接与MCU VDD电压不同的组件。
　　四通道VNF9Q20F是意法半导体采用先进的单晶片VIPower M0-9 MOSFET工艺并集成STi2Fuse技术的新系列功率开关的首款产品，STi2Fuse产品基于I2t(current squared through time-to-fuse)技术，检测到过流，支持100?s 内做出快速响应并关断MOSFET功率开关管。