科世达

　　MULTI-BEAM XLE 连接器采用三束端子，与原始的单束或四束矩形电源连接器设计相比，采用了更厚（更高）的导电材料。三束设计允许配接连接器之间存在更大的角度偏差，且配接力更低。
科世达u-blox XPLR-IOT-1包含开箱即用体验所需的各种元素，包括嵌入式SIM卡，内含u-blox MQTT Anywhere和MQTT Now试用帐户，可连接Thingstream物联网服务交付平台。只需几个初始手动步骤，该套件就能将数据发布到云端，并演示完整的端到端解决方案。
　　立芯光电以高端半导体激光芯片的设计、研发和制造为核心竞争力，可根据客户需求提供定制化产品及解决方案，快速响应客户需求，持续为客户提供高功率、高可靠性、高性价比的激光芯片。

　　使用这些器件可提高效率并节约成本。与传统的150mΩ GaN晶体管相比，CoolGaN Smart Sense产品在RDSs(on) （例如 350 mΩ）更高的情况下，能以更低的成本提供类似的效率和热性能。此外，这些器件与英飞凌的分立 CoolGaN 封装脚位兼容，无需进行布局返工和 PCB 重焊，进一步方便了使用英飞凌 GaN 器件的设计。
　　该公司表示：“宽输出调节范围允许一个型号在多个直流输出电压位置使用。”“该系列设计用于恶劣环境应用，包括医疗、自动导引车、工业移动机器人、无人机、工业、测试和测量。”
“美光 9550 SSD 标志着数据中心存储的重要飞跃，它提供了惊人的 330 万 IOPS，同时在 GNN 和 LLM 训练等 AI 工作负载中，比同类 SSD 功耗降低了高达 43%。这款产品将更高的性能与出色的能效相结合，为 AI 存储解决方案树立了新标杆，彰显了美光在引领 AI 革命方面的坚定承诺。”
　　除共模滤波器外，10BASE-T1S 通信电路中还包括防物理层设备（PHY）和防静电（ESD）组件以及其它电子元件，而这些元件各有其电容。随着总电容量不断增加，信号波形湍流随之增强，进而导致正常通信中断。为解决这一问题，工程师需要选择适合低电容的元件。
　　大型语言模型（LLM）需要高顺序读取速率，而图形神经网络（GNN）则需要高随机读取性能。记者在媒体交流会上了解到，美光 9550 NVMe SSD顺序读取速率达14.0 GB/s， 顺序写入速率达10.0 GB/s ，相较业界同类 SSD实现67%的性能提升。相较市场上的同类 NAND 解决方案，美光第九代 NAND 闪存技术产品的写入带宽和读取带宽分别高出 99% 和 88%。

　　ABB流程自动化运营与质量副总裁Alberto Martin-Consuegra表示：“我们很高兴看到莱迪思推出新的Certus-NX器件，为需要高可靠性的工业应用提供更多的低功耗、小尺寸和迁移选项。”
科世达　　英飞凌抗辐射F-RAM存储器的目标应用包括传感器与仪器的数据存储、校准数据的数据记录、适用于数据加密的安全密钥存储，以及启动代码存储等。除外太空应用，这款存储器还适用于航空电子等应用的温度要求（-55°C 至 125°C）。
全新的AIROC CYW5591x无线微控制器（MCU）产品系列。新系列整合了强大的长距离Wi-Fi 6/6E与低功耗蓝牙5.4以及安全的多功能MCU，使客户能够为智能家居、工业、可穿戴设备和其他物联网应用打造成本更低且节能的小尺寸产品。该平台具有很高的灵活性，能够加快客户产品的上市速度。
　　三星计划通过向移动处理器生产商，和移动设备制造商供应0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，继续扩大低功耗DRAM的市场。随着市场对高性能、高密度且封装尺寸更小的移动存储解决方案的需求持续增长，三星计划开发6层24GB和8层32GB的模组，为未来设备打造超薄的LPDDR DRAM封装。