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因此，太阳诱电使用具有高直流叠加特性的金属磁性材料，致力于扩充具有小型化、薄型化优势的多层型金属功率电感器 MCOILLSCN 系列的产品阵容。
jst多年来，英飞凌一直专注于加快GaN领域的创新，为现实的功率难题提供有针对性的解决方案。全新CoolGaN Drive产品系列再次证明了我们如何通过GaN帮助客户开发具有高功率密度和高效率的紧凑型设计。
　　Bourns 通过四种 DIN 导轨安装设备系列为交流或直流电源轨提供 IEC 级电涌保护。
　　1270 系列交流电涌保护器符合 IEC/EN 61643-11 I 级 + II 级 / T1+T2 标准
　　1280 系列也是一样，但增加了一个热断路器，“从而无需上游过流保护”，Bourns 说道。
　　1430 系列直流电涌保护器符合 IEC/EN 61643-31 I 级 + II 级 / T1+T2 标准
　　1440系列：同样的，加上一个热断路器“有助于消除对上游过流保护的需求”，Bourns说。
　　所有产品均基于 MOV，并提供故障指示窗口和远程警报输出。

　SC77708Q 可复用为多通道高边开关驱动，减少外部器件数量。充当高边开关时，SC77708Q 支持可灵活配置的软启动方式，提前设置高边打开时间，在容性负载引发的大电流触发短路保护后，系统可自动通过预设的时间打开高边，并通过电路的状态关断高边。
凭借奇景多年影像显示处理技术及时序控制器设计经验，共同在彩色电子纸领域创造新的里程碑。奇景精心设计能力强化了T2000的功能架构，使T2000在能够在元太彩色电子纸上展现无与伦比的效能与功耗表现。这不仅为电子纸阅读器、电子纸广告广告牌等应用开启了新的可能性，同时也突显了奇景在创新和提供技术方面的承诺。
TAS8240 是一款基于 TMR 的紧凑型传感器，带有冗余，经济实惠，由 4 个惠斯通电桥组成，适用于角度检测
　　在 -40℃ 至 +150℃ 的环境温度范围内，角度精度可达±1.0°
　　HL8545/8545G 符合严格的 AEC-Q100 Grade 1汽车级标准，可在 -40°C 至 125°C 的极端温度下可靠运行，工作结温范围为 -40°C 至 150°C。这些器件具有 3.3V 和 5V 兼容控制逻辑，使其能够适用于各种汽车控制系统。强大的保护机制包括过载和短路保护、电感负载负电压钳位、欠压锁定保护、热关断/摆动保护以及过温保护时引脚可配置的锁断或自动重启模式。芯片采用 16 引脚 DFN 封装，确保与各种系统兼容。
　　Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET，Rds（on）范围为1.8至15mΩ，100V器件的Rds（on）范围为2.07mΩ以上。
　　该公司表示：“许多MOSFET制造商在将其器件的开关性能与其他产品进行比较时，专注于通过低Qg（总）和低Qgd来实现高效率。然而，Nexperia认为Qrr同样重要，因为它会影响尖峰效应，进而影响器件切换过程中产生的电磁干扰（EMI）量。

　　三星轻薄型LPDDR5X DRAM的封装厚度仅0.65mm，散热控制能力更强，适合端侧AI在移动端的应用
　　LPDDR封装采用12纳米级工艺，四层堆叠，在提升Die密度的同时，减少厚度，提高耐热性
　　三星电子今日宣布其业内薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM（内存）开始量产，支持12GB和16GB容量。这将进一步巩固三星在低功耗内存市场的地位。
jst　　此外，针对Matter协议强调的安全性，FLM163D和FLM263D严格遵循相应的安全标准，包括安全固件和Mbed TLS加密等，可为连接设备提供强大保护。
　　想象一下：2022年铁人三项世锦赛Gustav Iden，在夏威夷科纳的终点线上举起双手庆祝胜利，他的身上就佩戴着来自艾迈斯欧司朗的嵌入式温度传感器。Gustav Iden和KristianA Blummenfelt这对挪威铁人三项双雄根据CORE提供的深度数据来微调他们的训练策略，确保他们在比赛中保持领先。
　　TX3系列器件采用B（EIA 3528-21）和C（EIA 6032-28）封装，容值范围10 F至100 F，额定电压16 V至25 V，容差低至± 10 %。器件+25 °C下ESR为0.700 W至2.3 W，纹波电流为0.438 A，工作温度高达+125 °C。TX3系列器件采用无铅（Pb）端子，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。