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　　CoolGaN? BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN? BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产品。
tyco　　此外，MULTI-BEAM XLE 连接器采用更薄的外壳设计，整体上减少了 PCB 上的空间占用，并提供了小功率端子版本，这也是业界公认的通用电源模块（UPM）端子。
nRF7002 Wi-Fi 6 协同 IC 可与 Nordic 屡获殊荣的 nRF91 系列封装系统 (SiP)、nRF52 和 nRF53 系列多协议片上系统 (SoC) 以及即将推出的 nRF54L 和 nRF54H 系列 SoC 无缝集成。

这种创新解决方案允许工程师定制TacHammer DRAKE电机的性能，提供增强的触觉反馈，无需定制触觉电机。
　　两家公司的合作互利双赢。对于主要从高通采购AP的三星电子来说，联发科是与高通谈判降低供应价格的宝贵底牌。无晶圆厂设计公司联发科也是三星代工厂的潜在客户。对于联发科来说，三星电子是AP市场不可失去的大客户。业内预测，未来两家公司将继续务实合作。
　　纳微GeneSiC碳化硅产品基于专有的“沟槽辅助平面栅”技术打造，可在运行温度范围内能提供了全球的效率性能，G3F MOSFETs具备高速、运行温升低的性能，相比市场上其他厂商的碳化硅产品，可使器件的外壳温度降低高达25°C并且寿命长3倍。
G2的散热能力提高了12%，并将CoolSiC的SiC性能提升到了一个新的水平。其快速开关能力可在所有工作模式下将功率损耗降低5%到30%（取决于负载条件），具有出色的节能效果。
　　Dubhe-70在功率、面积以及效率方面都拥有表现，与Arm Cortex-A55相比， Dubhe-70性能高出80%，能效比高出32%，面效比高出90%。与赛昉科技去年推出的主打高能效比的Dubhe-80相比，Dubhe-70的能效比提升21%，面效比提升5%。Dubhe-70可应对高性能场景下对功耗有着严苛要求的各类细分领域，涵盖工业控制、存储、移动终端、边缘终端、云终端、AI等。

推出六款新型电源模块，旨在提升功率密度、提高效率并降低 EMI。这些电源模块采用德州仪器专有的 MagPack 集成磁性封装技术，与市场上同类产品相比，尺寸缩小了多达 23%，支持工业、企业和通信应用的设计人员实现更高的性能水平。
tyco此外。应用包含的AOI（自动光学检测）及数字化转型，如数据驱动的决策、AI和机器学习，包含数字分身 (Digital Twin)以及结合生成式 AI 和预测性 AI 的企业ChatGPT平台。
此次发布的全新G32A1465完全遵循IATF16949质量标准要求，广泛适用于BMU、BCM、充电桩、智能座舱、座椅控制器、HAVC暖通空调系统、T-BOX、车灯等汽车细分应用场景。
　　分析机构Techno Systems Research Co., Ltd 预测，到2029年，LTE Cat 1bis在所有非手持蜂窝通信设备中将占据43.6%的比例，预计在未来四到五年间这款产品将成为物联网 (IoT) 领域的蜂窝通信技术产品。新模块加强了u-blox的LTE Cat 1bis产品组合，满足了物联网和用户从传统2G/3G蜂窝通信网络进行迁移的需要。